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J-GLOBAL ID：201202245212379565   整理番号：12A0592111

有機半導体のN,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジン(TPD)と金属表面との埋込み界面の電子構造

Electronic Structure of the Buried Interface Between an Organic Semiconductor, N,N′-Bis(3-methylphenyl)-N,N′-Diphenylbenzidine (TPD), and Metal Surfaces

著者 (5件)： YOSHIDA Hiroyuki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YOSHIDA Hiroyuki (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  ITO Eisuke (RIKEN, Saitama, JPN) ,  HARA Masahiko (RIKEN, Saitama, JPN) ,  SATO Naoki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 12  号： 1  ページ： 494-498  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは試料面の法線に対して異なる角度で記録したX線光電子放出スペクトルから固体材料の深さの関数として内殻エネルギー準位を求める実験法を開発してきた。この方法を仕事関数の異なるAu,Ag,AlおよびCaの多結晶金属面とその上に真空蒸着した有機半導体のN,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジン(TPD)からなる埋込み界面に適用した。有機層を三層分割したモデル構造を用いて実験データを解析し,金属に隣接する約1nm厚の第一単分子層のC1s内殻エネルギー準位は金属に関係なく常にバルク材料よりも約0.2eV高いことを見いだした。表面層とバルクとの0.29eVのエネルギー準位の偏差も観測した。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *金属薄膜 ,  *界面 ,  *電子構造 ,  埋込み【挿入】 ,  エネルギー準位 ,  金 ,  銀 ,  アルミニウム ,  カルシウム ,  仕事関数 ,  多結晶 ,  真空蒸着 ,  データ解析 ,  単分子層 ,  内殻準位

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

物質索引 (1件)： N,N′-ビス(3-メチルフェニル)-N,N′-ジフェニルベンジジン

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機半導体 ,  ビス ,  TPD ,  金属表面 ,  埋込み ,  界面 ,  電子構造