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J-GLOBAL ID：201202245310139653   整理番号：12A1584278

新しい薄いZnに富む膜をもつほう素ドープZnO膜の開発とそれらの太陽電池への適用

Development of Boron-Doped ZnO Films with Novel Thin Zn-Rich Film and Their Application to Solar Cells

著者 (5件)： HONGSINGTHONG Aswin (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  WADA Hidetoshi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MORIYA Yuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  SICHANUGRIST Porponth (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KONAGAI Makoto (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 10,Issue 2  ページ： 10NB03.1-10NB03.5  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,特有のエッチしたソーダ石灰ガラスとZnに富む(酸素に乏しい)層をもつ二重層ZnO膜を組み合わせて新しく開発した低い抵抗率をもつ高ヘイズガラス/酸化亜鉛(ZnO)基板を報告する。Znに富む条件により二重層ZnO膜の高移動度および低抵抗率を達成できた。集合組織化ガラス基板上にZnO膜を堆積することにより,得られた膜は優れた光散乱性質を示したが,それらの電気的性質はいぜんとして良好であった。Znに富む層をもつ二重層ZnO膜は膜の透明性に負の影響を与えなかった。水素添加非晶質シリコン(a-Si:H)太陽電池において前面透明導電性酸化物(TCO)としてZnに富む層そして約274nmのrms粗さをもつ二重層ZnO膜を用いて,特に短波長領域で開回路電圧も曲線因子も劣化せずに,作製した太陽電池の性能および量子効率(QE)を改善した。このように,その抵抗率は低いが,光散乱性質はいぜんとして高いので,開発したガラス/Znに富む層をもつ二重層ZnO膜は新しい有望な材料である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *太陽電池 ,  *透明導電膜 ,  ホウ素 ,  *ドーピング ,  化合物半導体 ,  酸化物 ,  MOCVD ,  被覆 ,  量子効率 ,  透過率 ,  吸収係数
準シソーラス用語： ZnO薄膜 ,  ホウ素ドーピング ,  透明導電性酸化物 ,  MOCVD被覆

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (25件)：

• 1) H. Schade and Z.E. Smith: J. Appl. Phys. 57(1985)568.
• 2) R.E.I. Schropp and A. Madan: J. Appl. Phys. 66(1989)2027.
• 3) K. Tabuchi, W.W. Wenas, A. Yamada, M. Konagai, and K. Takahashi: Jpn. J. Appl. Phys. 32(1993)3764.
• 4) I. An, Y. Lu, C.R. Wronski, and R.W. Collin: Appl. Phys. Lett. 64(1994)3317.
• 5) O. Kluth, B. Rech, L. Houben, S. Wieder, G. Schope, C. Beneking, H. Wagner, A. Lai, and H. W. Schock: Thin Solid Films 351(1999)247.

タイトルに関連する用語 (6件)： Zn ,  ほう素 ,  ドープ ,  ZnO ,  開発 ,  太陽電池