6H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンのCO<sub>2</sub>レーザー誘起成長

YANNOPOULOS Spyros N.; SIOKOU Angeliki; NASIKAS Nektarios K.; DRACOPOULOS Vassilios; RAVANI Fotini; PAPATHEODOROU George N.

文献

J-GLOBAL ID：201202245315606705 整理番号：12A0599951

6H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンのCO₂レーザー誘起成長

CO₂-Laser-Induced Growth of Epitaxial Graphene on 6H-SiC(0001)

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資料名：
巻： 22 号： 1 ページ： 113-120 発行年： 2012年01月11日
JST資料番号： W1336A ISSN： 1616-301X CODEN： AFMDC6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

グラフェンは優れた機械的,電気的および熱的特性を持ち,大面積グラフェンはエレクトロニクス用プラットフォームとして期待されている。本研究では,6H-SiC(0001)基板にCO₂レーザーを照射し,SiCの熱分解によりグラフェンエピタキシャル膜の成長を行った。波長10.6μmのレーザー光照射によりSiC基板表面温度は2400Kまで上昇し,表面の改質が確認された。SEN観察,SIMS分析およびXPS評価の結果,表面に厚さ5nmの均一なグラフェン膜の形成が確認された。また,ラマン分光による評価の結果,グラフェン膜の歪は小さいことを明らかにした。本手法は,基板の特別な前処理を必要とせず,レーザーの高速加熱を利用して数秒でエピタキシャル膜の形成可能で,応用が期待される。

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その他の無機化合物の薄膜 , 炭素とその化合物

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6H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンのCO2レーザー誘起成長

6H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェンのCO₂レーザー誘起成長