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J-GLOBAL ID：201202245343470525   整理番号：12A0777718

陰極真空アークにより堆積したTi-Al-N膜の構造及び特性に対するパルス基板バイアスの影響

Influence of pulsed substrate bias on the structure and properties of Ti-Al-N films deposited by cathodic vacuum arc

著者 (8件)： ZHANG G.p. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100080, CHN) ,  GAO G.j. (Changchun Univ. of Sci. and Technol., Coll. of Sci., Changchun 130000, CHN) ,  WANG X.q. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100080, CHN) ,  LV G.h. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100080, CHN) ,  ZHOU L. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100080, CHN) ,  CHEN H. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100080, CHN) ,  PANG H. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100080, CHN) ,  YANG S.z. (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing 100080, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 19  ページ： 7274-7279  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ti-Al-N膜をパルス基板バイアスを変えてN₂雰囲気中で陰極真空アーク(CVA)により堆積した。パルス基板バイアス(0~-800V)がTi-Al-N膜の堆積速度,表面モーフォロジー,結晶構造,及び力学特性に及ぼす影響を系統的に調べた。パルスバイアス電圧を高くすると堆積速度は遅くなり,表面ラフネスは大きくなった。パルスバイアスと膜構造の間に強い相関があることが分かった。ここで調べた膜は全てTiN,AlN,及びTi-Al-N三元相から成っていた。結晶粒はエピタキシャルから円柱状に変化し,パルスバイアスを高くしたとき優先配向を示した。バイアス電圧が高くなるとAlに対するTiの原子比は次第に大きくなり,一方(Ti+Al)に対するNの比は小さくなった。複合膜は二元のTiN及びZrN膜と比較してナノ硬度の増大を示した。パルスバイアス-200Vで堆積した膜が最大のスクラッチ臨界荷重及びナノ硬度を示した。パルスバイアス-300Vで最小の摩擦係数が得られた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化物 ,  イオンめっき ,  結晶構造 ,  表面粗さ ,  *微小硬さ ,  *摩擦係数 ,  セラミック膜 ,  バイアス
準シソーラス用語： ナノ硬度 ,  基板バイアス ,  *真空アーク蒸着 ,  表面形態

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 陰極 ,  真空アーク ,  堆積 ,  Ti ,  Al ,  パルス ,  基板バイアス