高応答性圧電および感圧抵抗材料による高速,低電圧スイッチング  ナノメートルスケールの変換物理のシミュレーションおよび理論

NEWNS Dennis M.; ELMEGREEN Bruce G.; LIU Xiao-Hu; MARTYNA Glenn J.

文献

J-GLOBAL ID：201202245437168059 整理番号：12A1251270

高応答性圧電および感圧抵抗材料による高速,低電圧スイッチングナノメートルスケールの変換物理のシミュレーションおよび理論

High Response Piezoelectric and Piezoresistive Materials for Fast, Low Voltage Switching: Simulation and Theory of Transduction Physics at the Nanometer-Scale

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=12A1251270&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=12A1251270&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0001A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 24 号： 27 ページ： 3672-3677 発行年： 2012年07月17日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

金属層(ゲート電極G)/小面積の圧電層(PE)/金属電極(共通電極C)/大面積の圧抵抗層(PR)/金属電極(検出電極S)からなる三端子素子(PET)の特性を理論検討した。電圧印加によりPEは拡大し,圧力変化によりPRは金属-絶縁体転移を生じて電気抵抗は数桁変化する。PRの例としてSmSeをあげた。有限要素法によるnmサイズ素子の動作特性計算,および3個の素子からなるリング共振器の特性の数値シミュレーション結果から,低電圧駆動でギガヘルツ応答が可能であり,通常のFETとは異なり素子サイズの縮小による制約を受けないことを示した。

, , , , , , , , , , , , , , , , ,
, ,

半導体結晶の電気伝導 , 共振器 , 一成分系の相平衡・状態図 , 計算機シミュレーション

, , , , , , , ,

前のページに戻る

高応答性圧電および感圧抵抗材料による高速,低電圧スイッチング ナノメートルスケールの変換物理のシミュレーションおよび理論

高応答性圧電および感圧抵抗材料による高速,低電圧スイッチングナノメートルスケールの変換物理のシミュレーションおよび理論