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J-GLOBAL ID：201202245657502480   整理番号：12A0583510

優先分域配向を有する高度に歪んだBiFeO₃薄膜における強電場電荷注入により改善した分極保持

The improved polarization retention through high-field charge injection in highly strained BiFeO₃ thin films with preferred domain orientations

著者 (4件)： LIU X. B. (State Key Lab. of ASIC and System, Dep. of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  DING N. F. (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal Univ., Shanghai 200241, CHN) ,  JIANG A. Q. (State Key Lab. of ASIC and System, Dep. of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  YANG P. X. (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, East China Normal Univ., Shanghai 200241, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 13  ページ： 132901-132901-4  発行年： 2012年03月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,漏れのあるFe濃縮ビスマスフェライト薄膜において,ナノ秒強誘電分域スイッチング電流を,分極-電場(P-E)ヒステリシスループに移行し,それから,ナノ秒範囲の分極保持および分極インプリントを抽出した。全ての薄膜が,凍結補償電荷および大きい格子不整応力から生ずる強い脱分極電場の出現により,4μs後に,速い残留分極損を示した。しかし,逆電場応力の印加により,分極は電極近傍電荷注入を介して増大し,1000s後に理論値に接近した。この結果は,高度に歪んだ強誘電薄膜について,P-Eループを対称化する効果的な方法を与えることを指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 材料 ,  磁気電気効果 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  *強誘電体 ,  *誘電体薄膜 ,  強誘電分域 ,  曲線 ,  ヒステリシス ,  分極反転 ,  残留分極 ,  優先配向
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  *ビスマスフェライト ,  マルチフェロイック

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 優先 ,  分域 ,  配向 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  強電場 ,  電荷注入 ,  分極