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J-GLOBAL ID：201202245808487381   整理番号：12A0435915

rf-マグネトロンスパッタリング法で堆積した窒化亜鉛薄膜の光学的特性

Optical properties of zinc nitride films deposited by the rf magnetron sputtering method

著者 (3件)： JAYATISSA Ahalapitiya H (Dep., Univ. Toledo, OH, USA) ,  WEN Ting (Dep., Univ. Toledo, OH, USA) ,  GAUTAM Madhav (Dep., Univ. Toledo, OH, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 45  号： 4  ページ： 045402,1-6  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Znをターゲットとし,ArおよびN₂プラズマ中における反応性高周波マグネトロンスパッタリング法で堆積させた窒化亜鉛薄膜の光学的特性に関する研究結果を報告する。堆積させた薄膜を空気中において,275,300,および350°Cで,2時間熱処理した。X線回折法(XRD)から,作製した窒化亜鉛はZn₃N₂の結晶構造を持つことが分かった。300°Cで熱処理すると,XRDピークの強度は減少し,300°Cで熱処理した薄膜の赤外域における透過率は,堆積したままの試料に比べて大きいことが分かった。堆積したまま,および熱処理した薄膜試料のバンドギャップは直接遷移型で,その大きさは1.12~1.37eVであることが分かった。また,近赤外(NIR)光に対する光伝導度を,室温,50°Cおよび100°Cで研究した。その結果,堆積したままの薄膜試料はNIR光に対して応答しないことが分かった。300°Cで熱処理した薄膜のNIR光に対する光応答は,275および350°Cで熱処理した試料に比べて優れていることが分かった。更に,測定温度が上昇すると,光伝導が減少することが分かった。光伝導度に対する熱処理の効果は,堆積過程において混入する過剰な窒素の除去に起因すると思われる。窒化亜鉛のフォトニック特性を更に理解するには,より詳細な研究が必要である。

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *亜鉛化合物 ,  *窒化物 ,  反応性スパッタリング ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  アルゴン ,  窒素 ,  プラズマ ,  熱処理 ,  空気 ,  雰囲気 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  透過率 ,  赤外線 ,  バンドギャップ ,  電子遷移 ,  光伝導 ,  光学的性質
準シソーラス用語： 光透過率 ,  *窒化亜鉛 ,  直接遷移

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  窒化亜鉛 ,  薄膜 ,  光学的特性