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J-GLOBAL ID：201202245898377334   整理番号：12A1439411

OPCとシミュレーションの観点からのNTD適用の検討

Consideration for Application of NTD from OPC and Simulation perspective

著者 (6件)： KIM Mi-Hye (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  MOON James (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  NAM Byoung-Sub (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  OH Se-Young (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  YANG Hyun-Jo (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR) ,  YIM Donggyu (Hynix Semiconductor Inc., Kyungki-do, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8326  号： Pt.2  ページ： 83262C.1-83262C.9  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVLは2Xnmの製造適用にまだ時間がかかるので,ArF液浸の能力を2Xnm製造が出来るように拡張しなければならない。様々な解像度強化技術(RET)の一つとしてネガティブトーン現像(NTD)がある。NTDは通常のポジティブトーン現像(PTD)と比べてプロセスマージンが大きい。PTDをNTDプロセスに変換する時のOPCとシミュレーションを解析した。コントラスト値やその結果の効果のようなPTDからNTDに変換時に起きる光学的差異を調べ,NTDプロセス最適化の方法を示した。最適化プロセスを使ったPTDとNTDのシミュレーション結果を比較してPTDよりもNTDが優れていることを証明し,NTDのDOFが26%良い結果を得た。シミュレーション結果はNTDを適切に最適化すればランダム3Xnm DRAMコンタクトで全体的に改善され,NTDが3Xnm以降のコンタクトプロセスの標準になることを示している。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *フォトリソグラフィー ,  超小形回路技術 ,  フォトマスク ,  シミュレーション ,  モデリング ,  現像 ,  最適化 ,  焦点深度 ,  *現像液
準シソーラス用語： RET ,  *解像度強化技術

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： OPC ,  シミュレーション ,  観点