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J-GLOBAL ID：201202246256587234   整理番号：12A0611034

酸素イオンの注入によって作製された酸化タンタルの抵抗スイッチング特性に対するセット電流の効果

Influence of the SET current on the resistive switching properties of tantalum oxide created by oxygen implantation

著者 (4件)： BISHOP S. M. (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering (CNSE), Univ. at Albany, SUNY, Albany, New York 12203, USA) ,  BAKHRU H. (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering (CNSE), Univ. at Albany, SUNY, Albany, New York 12203, USA) ,  CAPULONG J. O. (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering (CNSE), Univ. at Albany, SUNY, Albany, New York 12203, USA) ,  CADY N. C. (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering (CNSE), Univ. at Albany, SUNY, Albany, New York 12203, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 14  ページ： 142111-142111-4  発行年： 2012年04月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素イオンの注入されたタンタルを基本とする抵抗変化型メモリ素子は,形成電圧の印加が無くても両極性スイッチング動作を示す。スイッチング特性に対するセットの過程における電流制限の影響を,耐久性の測定によって研究した。セット/リセット電圧は電流制限に伴って変化しないことが分かった。リセット電流はセット電流に比例して増大するが,オン状態抵抗はセット電流に逆比例することが分かった。これらの結果はセットの過程におけるピークパワーに直接関係するリセット過程と矛盾しない。セット過程に起因するスイッチングの耐性とメモリウインドウの間の妥協点についても明らかにする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： イオン注入 ,  酸素 ,  *酸化タンタル ,  スイッチング ,  *RAM【メモリ】 ,  電流 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： セット電流 ,  メモリウィンドウ【半導体】 ,  リセット電流 ,  抵抗スイッチング ,  *抵抗変化メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸素イオン ,  注入 ,  作製 ,  酸化タンタル ,  スイッチング特性