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J-GLOBAL ID：201202246308571650   整理番号：12A1712008

走査トンネル顕微鏡法を用いたGaAs(0001)-c(4×4)α表面上の画像の対称的-非対称的変換

Symmetric-asymmetric transformation of an image on GaAs(001)-c(4 × 4)α surface using scanning tunneling microscopy

著者 (3件)： YAGYU Kazuma (Dep. of Electronics Engineering and Computer Sci., Fukuoka Univ., Fukuoka 814-0180, Japan and Dep. of Physics, Tokyo ...) ,  KAKU Shigeru (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN) ,  YOSHINO Junji (Dep. of Physics, Tokyo Inst. of Technol., Meguro-ku, Tokyo 152-8551, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 6  ページ： 061403-061403-4  発行年： 2012年11月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査トンネル顕微鏡法を用いて多くの研究が清浄なGaAs(001)-c(4×4)α表面を観察してきた。これらの研究は,三つの非対称Ga-As2量体から形成される非対称パターンの観察を報告した。しかしながら,本研究では,印加バイアス電圧に依存して対称的パターンも観察した。これらの対称的(非対称的)パターンは正(負)の試料バイアスのときに観察された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  化合物半導体 ,  *表面再構成 ,  清浄面 ,  電圧 ,  バイアス ,  二量体 ,  基板
準シソーラス用語： 走査型トンネル顕微鏡法 ,  III-VI族半導体 ,  バイアス電圧

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 走査トンネル顕微鏡 ,  GaAs