文献

J-GLOBAL ID：201202246380758470   整理番号：12A1123687

ポリジヒドロシランから水素化アモルファスシリコン薄膜への熱分解変態

Pyrolytic transformation from polydihydrosilane to hydrogenated amorphous silicon film

著者 (5件)： MASUDA Takashi (Japan Sci. and Technol. Agency, ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, JPN) ,  MATSUKI Yasuo (Japan Sci. and Technol. Agency, ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, JPN) ,  MATSUKI Yasuo (Yokkaichi Res. Center, JSR Corp., 100 Kawajiri-cho, Yokkaichi, Mie, 510-8552, JPN) ,  SHIMODA Tatsuya (Japan Sci. and Technol. Agency, ERATO, Shimoda Nano-Liquid Process Project, 2-13 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1211, JPN) ,  SHIMODA Tatsuya (School of Materials Sci., Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol., 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa, 923-1292, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 520  号： 21  ページ： 6603-6607  発行年： 2012年08月31日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の真空プロセスよりは溶液プロセスに基づく薄膜シリコンデバイスの製作はコスト削減の観点から本質的に興味深い。溶液プロセスを用いて,著者らはポリジヒドロシラン溶液により基板を被覆して,その材料の水素化非晶質シリコン(a-Si:H)への熱分解変態を調べた。熱重量法および示差熱分析のデータから,熱分解温度T_p=270-360°Cでの材料の著しい重量減少およびSi-Si結合の構築が結論できる。T_p>330°Cで調製した薄膜に対するラマンスペクトル中の非晶質シリコンフォノンバンドの出現は三次元非晶質シリコンの構築を示唆している。T_p>360°Cで調製した薄膜は10at.%に近い水素濃度およびデバイス級の真空プロセスによるa-Si:Hと類似の1.6eVに近い光学ギャップを示している。しかしながら,赤外マイクロストラクチャー因子,スピン密度および光感受性は著しい改良が必要である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  *半導体薄膜 ,  半導体 ,  *熱分解 ,  *相変態 ,  Ramanスペクトル ,  FTIR分光法 ,  熱重量分析 ,  示差熱分析 ,  *光学ギャップ ,  スピン密度 ,  感受性 ,  ポリシラン
準シソーラス用語： 光感受性 ,  *水素化アモルファスシリコン

分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化アモルファスシリコン ,  薄膜 ,  熱分解 ,  変態