CF<sub>4</sub>ガスにより誘起されるグラフェン電界効果トランジスタの特性ばらつき

PARK Jaehoon; PARK Kun-Sik; JEONG Ye-Sul; BAEK Kyu-Ha; LEE Bong Kuk; KIM Dong-Pyo; RYU Jin-Hwa; DO Lee-Mi; IMAMURA Hiroshi; YASE Kiyoshi; CHOI Jong Sun

文献

J-GLOBAL ID：201202246406691663 整理番号：12A1287258

CF₄ガスにより誘起されるグラフェン電界効果トランジスタの特性ばらつき

Characteristic Variations of Graphene Field-Effect Transistors Induced by CF₄ Gas

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資料名：
巻： 51 号： 8,Issue 1 ページ： 081301.1-081301.4 発行年： 2012年08月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

テトラフルオロメタン(CF₄)ガスのモノリシックグラフェン電界効果トランジスタ(FET)の電気的特性に及ぼす影響を報告する。窒素雰囲気中での結果と比較してCF4雰囲気の場合,FETはディラック点電圧において正の電圧シフトとドレイン電流の増加を示す。これらの変化は,CF₄ガス中のフッ素原子の電気陰性度の性質に起因し,グラフェンへのp型ドーピングと過剰電荷キャリアを誘導することが見出された。CF₄ガスに対する電気的応答は,化学センサーとしてモノリシックグラフェンFETを使用できる可能性を示している。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (37件)：

1) I. W. Frank, D. M. Tanenbaum, A. M. van der Zende, and P. L. McEuen: J. Vac. Sci. Technol. B 25 (2007) 2558.
2) J. Wu, H. A. Becerril, Z. Bao, Z. Liu, Y. Chen, and P. Peumans: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 263302.
3) F. Bonaccorso, Z. Sun, T. Hasan, and A. C. Ferrari: Nat. Photonics 4 (2010) 611.
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5) J. Wu, M. Agrawal, H. A. Becerril, Z. Bao, Z. Liu, Y. Chen, and P. Peumans: ACS Nano 4 (2010) 43.

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