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J-GLOBAL ID：201202246543435283   整理番号：12A0588806

約1nm EOTのAl₂O₃/GeO_x/Geゲートスタックを持つ高移動度Ge n-およびp-MOSFET

High Mobility Ge n- and p-MOSFETs with~1nm EOT Al₂O₃/GeO_x/Ge Gate Stacks

著者 (5件)： ZHANG Rui (Univ. Tokyo) ,  TAOKA Noriyuki (Univ. Tokyo) ,  HUANG Po-Chin (Univ. Tokyo) ,  TAKENAKA Mitsuru (Univ. Tokyo) ,  TAKAGI Shinichi (Univ. Tokyo)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.16P-A4-5  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 膜厚 ,  *酸化アルミニウム ,  *酸化ゲルマニウム ,  *ゲルマニウム ,  *MOSFET ,  表面準位 ,  プラズマ化学反応 ,  酸化 ,  *移動度 ,  スケール則
準シソーラス用語： EOT ,  *ゲートスタック ,  プラズマ酸化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： EOT ,  Al2O3 ,  Ge ,  ゲートスタック ,  高移動度 ,  MOSFET