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J-GLOBAL ID：201202246551822261   整理番号：12A0809068

閾値以下領域におけるサブミクロンGaN-MESFET信頼性を改善させる新しい最適化デュアルマテリアル(DM)ゲート設計

New optimized Dual-Material (DM) gate design to improve the submicron GaN-MESFETs reliability in subthreshold regime

著者 (3件)： LAKHDAR N. (LEA, Dep. of Electronics, Univ. of Batna, Batna 05000, DZA) ,  DJEFFAL F. (LEA, Dep. of Electronics, Univ. of Batna, Batna 05000, DZA) ,  DJEFFAL F. (LEPCM, Univ. of Batna, Batna 05000, DZA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 52  号： 6  ページ： 958-963  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本文では,サブミクロン窒化ガリウム(GaN)-MESFETの閾値以下の電気性能を最適化し,ホットキャリアおよび短チャネル効果(SCE)に対するデバイスイミュニティを改善するため,新しいデュアルマテリアル(DM)ゲート概念および最適化手法を提案する。その2D解析的解法は,チャネル電位,閾値以下スウィング,閾値電圧,ドレイン誘起障壁低下(DIBL)および寄生抵抗のモデリングを含む。ここで開発した解析モデルを用いて,閾値挙動に及ぼす各ゲートのゲート長および仕事関数の影響を研究した。広範囲のデバイスパラメータおよびバイアス条件に対する2D数値シミュレーションと良く一致したことで,ここで開発した解析的手法を検証し,確認する。ここで示したコンパクトモデルを用いて各種の目的関数を定式化する。この目的関数は多目的遺伝的アルゴリズム最適化に必要なもので,これを用いてデバイス閾値以下性能を最適化する。この最適化設計はその臨界的問題を緩和でき,更に低電力・高速用のサブミクロンGaN-MESFET利用ディジタル回路のSCEイミュニティを改善できる。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *サブミクロン加工 ,  *窒化ガリウム ,  *MESFET ,  *信頼性設計 ,  *ゲート【半導体】 ,  最適設計 ,  *ホットキャリア ,  *短チャネル効果 ,  二次元 ,  最適化手法 ,  電圧 ,  電気抵抗 ,  モデリング ,  解析モデル ,  仕事関数 ,  数値解析 ,  シミュレーション ,  シミュレーションモデル ,  目的関数 ,  遺伝的アルゴリズム ,  多目的計画法
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  DIBL ,  寄生抵抗 ,  コンパクトモデル ,  多目的遺伝的アルゴリズム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 閾値 ,  サブ ,  GaN ,  MESFET ,  最適化 ,  ゲート ,  設計