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J-GLOBAL ID：201202246568890848   整理番号：12A1717797

MoS₂(0001)上の硫黄欠陥でのチオール分子の選択的吸着とそれに続くS-C解離による空孔修復

Selective Adsorption of Thiol Molecules at Sulfur Vacancies on MoS₂(0001), Followed by Vacancy Repair via S-C Dissociation

著者 (3件)： MAKAROVA Marina (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  OKAWA Yuji (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  AONO Masakazu (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 42  ページ： 22411-22416  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一分子電気回路のような,種々の分子ナノ構造の開発のためには,分子成分を基板上の決められた位置に固定することが重要である。ここではチオール誘導体,ドデカンチオールおよび(3-メルカプトプロピル)-トリメトキシシラン(MPS)を,MoS₂(0001)基板上のあらかじめ作製した硫黄欠陥に固定化する検討を行った。走査型トンネル顕微鏡法(STM)による結果から,チオール基がその空孔欠陥に選択的に結合することが分った。さらに,STMチップによりS-C解離が誘起され,このことがチオールからの硫黄原子による空孔欠陥を修復する結果となることが明らかになった。

シソーラス用語： 解離 ,  *マグネシウム化合物 ,  *硫化物 ,  硫黄 ,  *欠陥 ,  *チオール ,  *吸着 ,  空格子点 ,  シラン誘導体 ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  走査型トンネル顕微鏡法 ,  *硫化マグネシウム ,  *選択吸着
準シソーラス用語： *選択的吸着

分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  脂肪族チオール  (CF03120R)

物質索引 (2件)： 1-ドデカンチオール ,  3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン

タイトルに関連する用語 (9件)： MoS2 ,  硫黄 ,  欠陥 ,  チオール ,  分子 ,  選択的吸着 ,  解離 ,  空孔 ,  修復