ウエハレベルLED-SiP型モバイルフラッシュモジュールおよび特性化

LIN Jyh-rong; NG Tuen Yi; WANG Zhaoxin; WAN Shan Mei; WONG Kin Wai; LU Ming; WU Enboa

文献

J-GLOBAL ID：201202246620943114 整理番号：12A0715056

ウエハレベルLED-SiP型モバイルフラッシュモジュールおよび特性化

Wafer-level LED-SiP based mobile flash module and characterization

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資料名：
巻： 52 号： 5 ページ： 916-921 発行年： 2012年05月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本文では,ウエハレベルLEDシステムインパッケージング(WL-LED-SiP)設計およびプロセスプラットホームを開発し,明らかにした。このプラットホームにより,高いパッケージング密度,高性能,高信頼度および優れた費用効果性でLEDシステムソリューションを得る。マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)反射器を含むウエハレベル(WL)プロセスインテグレーション,空洞型リソグラフィー,スルーシリコンビア(TSV)充填などのLED-SiPプラットホーム技術を実証するテストビークルとしてカメラホンフラッシュモジュールを採用した。それと同時に,相関色温度(CCT),演色数(CRI),光エネルギー,配光などのLEDフラッシュモジュール性能を特性化した。ここで得られたLED-SiPフラッシュモジュールの視野角は広く,80°×50°であり,光エネルギーは5.7lx s@1/30sであった。このモジュールの体積は8×11×4mm³である。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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発光素子

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