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J-GLOBAL ID：201202247296196595   整理番号：12A1212336

空隙を形成するためSiイオン注入n-GaN上の異常成長によるInGaN発光ダイオード(LED)の出力電力向上

Improved Output Power of InGaN LEDs by Lateral Overgrowth on Si-Implanted n-GaN Surface to Form Air Gaps

著者 (9件)： TU Shang-Ju (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LEE Ming-Lun (Southern Taiwan Univ., Tainan, TWN) ,  YEH Yu-Hsiang (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  HUANG Feng-Wen (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Po-Cheng (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LAI Wei-Chih (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Chung-Wei (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHI Gou Chung (National Chia Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SHEU Jinn-Kong (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48  号： 7-8  ページ： 1004-1009  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般的に,LEDの光出力電力は活性層の量子効率とその光抽出効率に依存し,LEDの最も重要な問題の1つは高い屈折率による半導体中の光トラッピングの発生である。本研究では多重量子井戸活性層に空隙を形成するため,Siイオン注入n-GaNテンプレート上に成長させたGaNベースLEDを作成し,このLEDの光抽出効率が顕著に向上することを示した。また選択Siイオン注入領域上のGaNベースエピタクシー層は他の領域より低い成長速度を持ち,Siイオン注入領域に選択成長とそれに続く横方向成長が見られた。従って横方向GaNファセット前面の合致後,Siイオン注入領域上に空隙が形成された。実験はSiイオン注入GaNテンプレート上に成長させたLEDの光出力は,従来のLEDに比べ36%向上することを示した。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  発光ダイオード ,  光トラッピング ,  屈折率 ,  多重量子井戸 ,  イオン注入 ,  窒化ガリウム ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *成長異常 ,  効率
準シソーラス用語： GaN ,  *InGaN ,  光抽出効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 空隙 ,  Siイオン ,  注入 ,  GaN ,  異常成長 ,  InGaN ,  発光ダイオード ,  LED ,  出力電力