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J-GLOBAL ID：201202247579489130   整理番号：12A1116419

圧力下のウルツ鉱型窒化物半導体での表面準位に及ぼす電子-フォノン相互作用の効果

Effect of electron-phonon interaction on surface states in wurtzite nitride semiconductors under pressure

著者 (2件)： LI G.x. (Coll. of Sci., Inner Mongolia Agricultural Univ., Hohhot 010018, CHN) ,  YAN Z.w. (Coll. of Sci., Inner Mongolia Agricultural Univ., Hohhot 010018, CHN)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 52  号： 3  ページ： 514-522  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  窒化インジウム ,  *結晶構造 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *表面準位 ,  電子-フォノン相互作用 ,  圧力効果 ,  静水圧 ,  ハミルトニアン ,  擬ポテンシャル法

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： ウルツ鉱 ,  窒化物半導体 ,  表面準位 ,  電子-フォノン相互作用