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J-GLOBAL ID：201202248189124790   整理番号：12A0652545

交互する単原子[Fe/Co]_n超格子とAgスペーサー間のFe(001)挿入による界面比抵抗の増強

Enhancement of interfacial specific resistance by the insertion of Fe(001) layers between alternate monatomic [Fe/Co]_n superlattices and Ag spacer

著者 (5件)： JUNG J. W (Electronic Engineering, Tohoku Univ., Sendai 980-8579, JPN) ,  SHIOKAWA Y. (Electronic Engineering, Tohoku Univ., Sendai 980-8579, JPN) ,  JIN Z. (Electronic Engineering, Tohoku Univ., Sendai 980-8579, JPN) ,  DOI M. (Electronic Engineering, Tohoku Gakuin Univ., Tagajyo 985-8537, JPN) ,  SAHASHI M. (Electronic Engineering, Tohoku Univ., Sendai 980-8579, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 07B707-07B707-3  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面比抵抗AR^*_F/Nだけでなく,バルクおよび界面スピン散乱非対称係数(それぞれβ_Fおよびγ_F/N)は,平面に垂直な電流(CPP)幾何形状において全抵抗変化-領域積ΔRAに寄与する。本論文では,強磁性(F)/非強磁性(N)界面中への1nm Fe層の挿入がスピン依存輸送性質に及ぼす効果について報告する。ΔRAが強磁性層(3,4,そして5nm)の厚さの関数として求められる2電流模型に基づくValet-Fert理論を用いて,磁性層そしてAgスペーサー層として人工的に秩序化されたB2状態のFe₅₀Co₅₀合金に対して交換バイアススピンバルブ(EBSV)のβ_F,γ_F/NおよびAR^*_F/Nの値を実験的に導出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *人工超格子 ,  鉄 ,  コバルト ,  金属薄膜 ,  *多層膜 ,  単原子層 ,  銀 ,  *スペーサ ,  *電気抵抗率 ,  *磁性薄膜 ,  輸送現象 ,  依存性 ,  散乱 ,  素子構造 ,  コバルト合金 ,  ニッケル含有合金 ,  交互多層膜 ,  強磁性薄膜 ,  スピン依存性 ,  スピンバルブ
準シソーラス用語： 界面比抵抗 ,  スピン散乱 ,  スピン依存輸送

分類 (1件)： その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (9件)： 単原子 ,  Fe ,  CO ,  超格子 ,  Ag ,  スペーサー ,  界面 ,  比抵抗 ,  増強