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J-GLOBAL ID：201202248787993612   整理番号：12A0264290

シリコン技術によって吊り下げられた膜上に実現したパッケージしていない赤外熱電マイクロセンサ

Unpackaged infrared thermoelectric microsensor realised on suspended membrane by silicon technology

著者 (6件)： SION Charles (IEMN, Inst. of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR CNRS 8520 and Lille 1 Univ., Avenue Poincare ...) ,  GODTS Pascale (IEMN, Inst. of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR CNRS 8520 and Lille 1 Univ., Avenue Poincare ...) ,  ZIOUCHE Katir (IEMN, Inst. of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR CNRS 8520 and Lille 1 Univ., Avenue Poincare ...) ,  BOUGRIOUA Zahia (IEMN, Inst. of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR CNRS 8520 and Lille 1 Univ., Avenue Poincare ...) ,  LASRI Tuami (IEMN, Inst. of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR CNRS 8520 and Lille 1 Univ., Avenue Poincare ...) ,  LECLERCQ Didier (IEMN, Inst. of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, UMR CNRS 8520 and Lille 1 Univ., Avenue Poincare ...)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 175  ページ： 78-86  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,新規設計でCMOS技術を使って製作した赤外熱電マイクロセンサを提示した。表面域での吸収と反射を考慮してパッケージングを行わず,単一の膜上に置き,周辺ガスの熱的擾乱を考慮して対称構造とした。輻射に対する感度と周囲の空気の温度変動に対する耐性を最適化する目的で,これらのマイクロセンサの幾何学的パラメータを決定するために解析モデルを開発した。3mm×3mmから10mm×10mmまでの変動する膜面積を持つ幾つかのセンサと,3×3と5×2でパッケージングしていないマイクロセンサアレイを製作した。ポリエチレンFresnelレンズを組み込んだプロトタイプのイメージャを実現した。このデバイスは低分解能-低コストのイメージャ応用への道を拓く。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *吊下げ ,  *ICパッケージ ,  赤外検出器 ,  赤外線 ,  熱電素子 ,  電子技術 ,  センサ ,  Fresnelレンズ
準シソーラス用語： CMOS技術 ,  シリコンウエハ ,  *マイクロセンサ ,  樹脂パッケージ ,  *赤外センサ ,  *熱電デバイス

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  パッケージ ,  赤外 ,  マイクロセンサ