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J-GLOBAL ID：201202249047601172   整理番号：12A0587919

Ge(001)基板上のホイスラー合金Co₂MnSi薄膜とMgO障壁をもつ完全にエピタキシアルな磁性トンネル接合の製造

Fabrication of fully epitaxial magnetic tunnel junctions with a Heusler alloy Co₂MnSi thin film and a MgO barrier on Ge(001) substrates

著者 (6件)： LI Gui-fang (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAIRA Tomoyuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  LIU Hong-xi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  MATSUDA Ken-ichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  UEMURA Tetsuya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YAMAMOTO Masafumi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.16A-B4-5  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ホイスラー合金 ,  *酸化マグネシウム ,  エピタクシー ,  *トンネル接合 ,  ゲルマニウム ,  基板 ,  *コバルト合金 ,  マンガン含有合金 ,  ケイ素含有合金 ,  MOSFET
準シソーラス用語： *磁性トンネル接合

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  ホイスラー合金 ,  MgO ,  障壁 ,  エピタキシアル ,  磁性トンネル接合