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J-GLOBAL ID：201202249125229382   整理番号：12A0215688

弾道電子放出分光を用いたAu/酸化GaAs/n-GaAsの障壁高さ決定

Barrier height determination of Au/Oxidized GaAs/n-GaAs using ballistic electron emission spectroscopy

著者 (8件)： QIN Hailang (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  LIU Zhiqiang (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 4 Engineering Drive 3, Singapore 117576, SGP) ,  TROADEC Cedric (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  GOH Kuan Eng Johnson (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  BOSMAN Michel (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  ONG Beng Sheng (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Nanyang Avenue, Singapore 639798, SGP) ,  CHIAM Sing Yang (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore ...) ,  PEY Kin Leong (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ., Nanyang Avenue, Singapore 639798 ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 30  号： 1  ページ： 011805  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弾道電子放出分光(BEES)を用いて,Auと酸化GaAs膜の界面における電子障壁高さを決定した。二つの閾値がスペクトル中に観測された。二段階手続きにおいて,走査型トンネル顕微鏡(STM)測定中に放出される光子により励起された電子正孔対から生じることを示した約1.4eVにおける第一の閾値とAu/酸化GaAs障壁に帰着される約3.55eVにおける第二の閾値を同定した。結果は,金属/酸化物試料においてBEES研究で観測された二閾値挙動がSTM光電流及び金属/酸化物界面障壁からなる物理的モデルに良くあてはまることを実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金 ,  *ヒ化ガリウム ,  界面 ,  *MOS構造 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  閾値 ,  電子正孔対 ,  光電流 ,  *酸化膜 ,  バリスティック輸送 ,  トンネル分光法 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  *弾道電子放出顕微鏡 ,  物理モデル

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 弾道電子 ,  放出 ,  分光 ,  Au ,  酸化 ,  GaAs ,  障壁高さ