文献

J-GLOBAL ID：201202249182280572   整理番号：12A1037225

サブバンドギャップ光微分ボディファクタ法およびSOI MOSFETの界面状態の特性化

Subbandgap Optical Differential Body-Factor Technique and Characterization of Interface States in SOI MOSFETs

著者 (11件)： HONG Euiyoun (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  YUN Daeyoun (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  BAE Hagyoul (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Hyunjun (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Won Hee (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  UHM Mihee (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  SEO Hyojoon (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jieun (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  JANG Jaeman (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dae Hwan (Kookmin Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Dong Myong (Kookmin Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 7  ページ： 922-924  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SOI MOSFETのバンドギャップ界面状態分布の特性化を改良するため,サブバンドギャップ光微分ボディファクタ(SODBoF)法を提案した。ボディコンタクトのないSOI MOSFETの仮想ゲートとしてサブバンドギャップ光照射を利用する。また微分ボディファクタの採用により,閾値電圧の抽出法に起因する誤差を抑えてトラップ抽出を行う。n-およびp-MOSFETへの適用に成功し,界面状態密度(D_it)として10¹⁰~10¹¹cm^-2・eV^-1を得た。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *SOI構造 ,  *状態密度 ,  閾値 ,  導関数 ,  キャラクタリゼーション ,  光照射 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  *界面状態密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブバンドギャップ ,  微分 ,  ボディ ,  ファクタ ,  SOI ,  MOSFET ,  界面状態 ,  特性化