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J-GLOBAL ID：201202249288962923   整理番号：12A1660505

ナノ多孔質GaNの一面にわたった再成長に基づくエピタキシャルGaNのリフトオフ

Lift-off of epitaxial GaN by regrowth over nanoporous GaN

著者 (3件)： KANG Jin-ho (Dep. of Physics, Chonnam National Univ., Gwangju 500-757, KOR) ,  KEY LEE June (School of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., Gwangju 500-757, KOR) ,  RYU Sang-wan (Dep. of Physics, Chonnam National Univ., Gwangju 500-757, KOR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 361  ページ： 103-107  発行年： 2012年12月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学エッチングによって形成したナノ多孔質GaN上の再成長により,エピタキシャルGaNのリフトオフを示した。再成長時に,表面上でのGa原子の移動に起因したナノ多孔の著しい変形を観測した。ナノ多孔の形状と長さは,変形過程と球形ボイドの形成に影響を受けた。小さく,非整列なボイドは分岐した孔から形成されたが,よく整列したボイドは円筒形の孔から形成された。形状の変形時に整列したボイドは,隣接したボイドとつながり,最終的に,GaNの中でつながって,隙間が形成した。GaNエピ層の基板から自然発生的にリフトオフが生じた。この現象は,垂直発光ダイオードのリフトオフへの代替手法に利用できる可能性がある。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *エピタクシー ,  半導体薄膜 ,  多孔性 ,  *微細加工 ,  *結晶成長 ,  空孔欠陥 ,  変形 ,  アラインメント
準シソーラス用語： ナノ多孔性 ,  *リフトオフ ,  *再成長

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ多孔質 ,  GaN ,  再成長 ,  エピタキシャル ,  リフトオフ