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J-GLOBAL ID：201202249666135054   整理番号：12A0744676

TaN厚さを変えることによるメタル/TaN/n-Ge接合のSchottky障壁高さの変調

Modulation of Schottky Barrier Height of Metal/TaN/n-Ge Junctions by Varying TaN Thickness

著者 (5件)： WU Zheng (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  HUANG Wei (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LI Cheng (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LAI Hongkai (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  CHEN Songyan (Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 5  ページ： 1328-1331  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型Geの高いSchottky障壁高さ(SBH)は,価電子帯端に近い電荷中性化準位(CNL)における強いFermiレベルピニング(FLP)に拠っていて,メタルの仕事関数に依存しない。メタル/TaN/n-Ge Schottky接合でもともと0.53~0.61eVに固定されているTaN/n-Geの実効SBHが,TaN厚さを0~10nmに変化させるとメタル種類によらず0.44eVに低下した。メタル誘起ギャップ準位を緩和しピニングレベルを伝導帯方向にシフトするTaN/Ge界面でのダイポール生成を提案した。SBHの変調はキャップメタル(Al,Fe,Ni)がTaNとGeの界面に拡散することが原因である。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  現象 ,  *Schottky障壁 ,  MOSFET ,  ダングリングボンド ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  タンタル化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： Fermiレベル ,  ピニング ,  界面現象 ,  *窒化タンタル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： メタル ,  Schottky障壁高さ ,  変調