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J-GLOBAL ID：201202249670025000   整理番号：12A0744691

マイクロ波励起プラズマ支援CVDによってデポジットした有機ノンポーラス超低kフルオロカーボン誘電体のCuシングルダマシンインテグレーション

Cu Single Damascene Integration of an Organic Nonporous Ultralow-k Fluorocarbon Dielectric Deposited by Microwave-Excited Plasma-Enhanced CVD

著者 (9件)： GU Xun (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NEMOTO Takenao (Tokyo Electron Ltd. Dev. Inst. Inc., Sendai, JPN) ,  TOMITA Yugo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TERAMOTO Akinobu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KURODA Rihito (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUROKI Shin-Ichiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KAWASE Kazumasa (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  SUGAWA Shigetoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHMI Tadahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 5  ページ： 1445-1453  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波励起プラズマCVDによる有機ノンポーラス超低kフルオロカーボン誘電体(k=2.2)を使ったCuシングルダマシン配線を開発した。ドライエッチングでフルオロカーボンの化学構造が変化し,エッチング後のクリーニングプロセスで電気特性が劣化する。ダマシンプロセスでフルオロカーボンが損傷されないようにエッチング後プロセスとして窒素プラズマ処理を適用し,配線間リーク電流が著しく改善された。Cu配線製作後の350°C熱ストレス試験でCu配線抵抗と配線間容量は低下していない。これはCuシングルダマシン配線におけるフルオロカーボン膜の充分な熱安定性を示すものである。

シソーラス用語： *半導体プロセス ,  誘電体 ,  プラズマCVD ,  プラズマ処理 ,  脂肪族フッ素化合物 ,  漏れ電流 ,  配線
準シソーラス用語： Cu配線 ,  *ダマシン配線 ,  *フルオロカーボン ,  マイクロ波プラズマCVD ,  リーク電流 ,  低k誘電体

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： マイクロ波 ,  励起 ,  プラズマ支援CVD ,  デポジット ,  ポーラス ,  フルオロカーボン ,  誘電体 ,  Cu