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J-GLOBAL ID:201202249858134191   整理番号:12A0460673

多層構造および傾斜エッジJosephson接合を備えた高Tc電子素子の先端開発動向

Recent Developments of High-Tc Electronic Devices with Multilayer Structures and Ramp-Edge Josephson Junctions
著者 (5件):
資料名:
巻: E95-C  号:ページ: 337-346 (J-STAGE)  発行年: 2012年 
JST資料番号: L1370A  ISSN: 0916-8524  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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HTS(高Tc超半導体)によるJJ(Josephson接合)を含む電子素子の先端開発動向を報告した。特に,多層構造および傾斜エッジ型JJによるSQUID(超伝導量子干渉素子)を詳述した。本JJを人工蒸着Cu不足前駆層の再結晶化により製作した。接合障壁の形成メカニズムを検討した。グラジオメータおよび磁力計の複数タイプを製作した。それらを,金属板内深部欠陥のNDE(非破壊評価)および線状HTS被覆導体のリールツーリール試験システムなど複数応用システムに実際応用した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
Josephson接合・素子  ,  固体デバイス製造技術一般 

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