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J-GLOBAL ID：201202249863965760   整理番号：12A1547889

高速および信頼性のある磁壁移動素子 内蔵記憶装置および論理回路用の材料設計

High-speed and reliable domain wall motion device: Material design for embedded memory and logic application

著者 (23件)： FUKAMI S. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  YAMANOUCHI M. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KOYAMA T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  UEDA K. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YOSHIMURA Y. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIM K.-J. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHIBA D. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHIBA D. (JST-PRESTO, Saitama, JPN) ,  HONJO H. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SAKIMURA N. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  NEBASHI R. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KATO Y. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  TSUJI Y. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  MORIOKA A. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KINOSHITA K. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  MIURA S. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI T. (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  TANIGAWA H. (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  IKEDA S. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  SUGIBAYASHI T. (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KASAI N. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  ONO T. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OHNO H. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2012  ページ： 61-62  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Co/Niワイヤの積層膜構造を最適化することにより,内蔵記憶装置とロジックイン記憶装置用途に必要な三端子磁壁(DW)移動素子の高速機能と優れた信頼性を実現した。三端子DW移動セルの素子構造は垂直磁化されたDW移動部と面内磁化センサー部で構成される。DW移動部の性能に焦点を合わせるために,DW移動特性を評価するように異常Hall効果を使用するクロス形状のワイヤ素子(Hall素子)を用いた。

シソーラス用語： *論理回路 ,  *記憶装置 ,  材料設計 ,  異常Hall効果 ,  Hall素子 ,  機能素子 ,  信頼性
準シソーラス用語： 磁壁移動素子 ,  素子 ,  内蔵記憶装置

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁壁移動 ,  記憶装置 ,  論理回路 ,  材料設計