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J-GLOBAL ID：201202249953616683   整理番号：12A0444325

3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール(TAZ)と金属(Ca,Mg,Ag,およびAu)の界面におけるエネルギー準位:実験および理論

Energy level alignment at interfaces between 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butyl phenyl)-1, 2, 4-triazole (TAZ) and metals (Ca, Mg, Ag, and Au): experiment and theory

著者 (4件)： BHATT Mahesh Datt (Seoul National Univ., WCU Multiscale Engineering Div., School of Mechanical and Aerospace Engineering, 151-742 ...) ,  BABA Akihisa (Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, Tsukuba, 305-8577, Ibaraki, JPN) ,  SAKURAI Takeaki (Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, Tsukuba, 305-8577, Ibaraki, JPN) ,  AKIMOTO Katsuhiro (Univ. of Tsukuba, Inst. of Applied Physics, Tsukuba, 305-8577, Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Solid State Electrochemistry  (Journal of Solid State Electrochemistry)
巻： 16  号： 3  ページ： 1141-1149  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1021A  ISSN： 1432-8488  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外光電子分光法計測および密度関数理論計算を用いて,有機半導体(3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール(TAZ))と金属(Ca,Mg,Ag,およびAu)の界面における電子構造について研究した。有機-金属界面における界面準位の基本的メカニズムは界面において電荷キャリアの注入を制御することにより理解される。Fermi準位に対する最高被占分子軌道の位置および界面双極子の大きさを有機-金属界面で評価した。Ca,MgおよびAgにおけるTAZでは,界面準位はFermi準位近傍であった。しかし,Au上のTAZでは界面準位は観測されなかった。界面準位は,C2pおよび金属s準位から成るTAZ最低空分子軌道の相互作用から形成されることが定性的に解析されている。界面準位は界面における電荷移動において重要な役割を果たしていることが分かった。界面準位の形成メカニズムおよび電気特性について考察する。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒素複素環化合物 ,  *電子構造 ,  *エネルギー準位 ,  *有機半導体 ,  *バッファ層 ,  *仕事関数 ,  光電子分光法 ,  表面準位 ,  HOMO ,  LUMO ,  電荷移動 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： *トリアゾール誘導体 ,  真空紫外光電子分光法

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  有機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08085G)

物質索引 (1件)： 3-(1,1′-ビフェニル-4-イル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフェニル)-4H-1,2,4-トリアゾール

タイトルに関連する用語 (12件)： フェニル ,  TERT ,  トリアゾール ,  TAZ ,  Ca ,  Mg ,  Ag ,  Au ,  界面 ,  エネルギー準位 ,  実験 ,  理論