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J-GLOBAL ID：201202250024219279   整理番号：12A0960613

トレンチSi(001)基板上に成長させたGaAsナノワイヤの陰極線ルミネッセンスによる光学的研究

Optical Studies of GaAs Nanowires Grown on Trenched Si(001) Substrate by Cathodoluminescence

著者 (12件)： LEE Ling (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIEN Kun-Feng (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  FAN Wen-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHOU Wu-Ching (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KO Chih-Hsin (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  WU Cheng-Hsien (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LIN You-Ru (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  WAN Cheng-Tien (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  WANN Clement H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  HSU Chao-Wei (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHEN Yung-Feng (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  SU Yan-Kuin (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 2  ページ： 06FG15.1-06FG15.4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂マスクを用いてSi(001)ウエハ上に形成した1700から80nmの幅のトレンチに成長したGaAsナノワイヤの歪を,陰極線ルミネッセンスにより調べた。1700から500nmの幅のトレンチにおいては,トレンチ幅が狭くなると15Kにおける面内引張歪が減少する。歪はトレンチ幅が300nmの時に急激に増大し,トレンチ幅がさらに狭くなるにつれて減少する。この結果は,トレンチの幅が深さよりも小さい場合には,SiO₂側壁による応力が支配的であることを明らかにした。このアプローチは単一ナノワイヤの歪を測定するための効果的な手法を提供し,設計された歪を用いたGaAsの選択成長を示すために役立つ。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  陰極線ルミネセンス ,  *トレンチカット【加工】 ,  ウエハ【IC】 ,  歪 ,  幅 ,  側壁 ,  二酸化ケイ素 ,  応力 ,  選択成長 ,  温度依存性 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (31件)：

• 1) H. K. Choi, J. P. Mattia, G. W. Turner, and B. Y. Tsaur: IEEE Electron Device Lett. 9 (1988) 512.
• 2) K. Eisenbeiser, R. Emrick, R. Droopad, Z. Yu, J. Finder, S. Rockwell, J. Holmes, C. Overgaard, and W. Ooms: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 300.
• 3) Z. Zhao, K. Yadavalli, Z. Hao, and K. L. Wang: Nanotechnology 20 (2009) 035304.
• 4) K. Tomioka, T. Tanaka, S. Hara, K. Hiruma, and T. Fukui: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17 (2011) 1112.
• 5) L. C. Chuang, F. G. Sedgwick, R. Chen, W. S. Ko, M. Moewe, K. W. Ng, T. D. Tran, and C. Chang-Hasnain: Nano Lett. 11 (2011) 385.

タイトルに関連する用語 (8件)： トレンチ ,  Si ,  成長 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  陰極線ルミネッセンス ,  光学 ,  研究