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J-GLOBAL ID：201102208191620658   整理番号：11A1423387

Si基板上のIII-Vナノワイヤ:選択領域成長と素子への応用

III-V Nanowires on Si Substrate: Selective-Area Growth and Device Applications

著者 (7件)： TOMIOKA Katsuhiro (Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN) ,  TOMIOKA Katsuhiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TANAKA Tomotaka (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TANAKA Tomotaka (Asahi Kasei Corp., Tokyo, JPN) ,  HARA Shinjiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HIRUMA Kenji (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 17  号： 4  ページ： 1112-1129  発行年： 2011年07月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 選択領域成長によるSi基板上のInAs,GaAs,InGaAsナノワイヤの位置と結晶方位を制御した成長を解説した。これらSi基板上のIII-Vナノワイヤの成長をどのようにして制御するか論じた。不整合転位があるヘテロエピタキシャル成長と不整合転位がないコヒーレント成長したIII-V/Siの界面の研究結果を解説した。Si上にIII-Vナノワイヤを使った垂直サラウンディングゲート電界効果トランジスタと発光ダイオードを集積したデバイスを実証した。

シソーラス用語： ケイ素 ,  ドーピング ,  基板 ,  *ヒ化インジウム ,  MOCVD ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  不整合転位 ,  素子構造 ,  エピタクシー ,  *FET【トランジスタ】 ,  *発光ダイオード ,  電流電圧特性 ,  電流 ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： *OMVPE ,  ドレイン電流

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  ナノワイヤ ,  領域成長 ,  応用