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J-GLOBAL ID：201202250042630598   整理番号：12A1095577

その場アニールGe₂Sb₂Te₅薄膜の結晶化プロセス

Crystallization process of in situ annealed Ge₂Sb₂Te₅ films

著者 (3件)： ZHANG Lei (Inst. of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  HAN Xiaodong (Inst. of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  ZHANG Ze (Dep. of Materials, Zhejiang Univ., Hangzhou 310008, CHN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 537  ページ： 71-75  発行年： 2012年10月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その場アニールされたGe₂Sb₂Te₅(GST)薄膜の結晶化プロセスについて検討するために,構造測定手段として電子回折動径分布関数(RDF)を用いた。RDFに0.52nmの特徴的ピークが出現した後にGST薄膜は結晶化を開始し,これは第3最近傍規則化の形成を示していた。GST薄膜は均一なナノサイズ粒子を優先的に形成した。非晶質相と多結晶相の構造における類似性と相違点について記述した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アンチモン化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  テルル化物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  透過型電子顕微鏡 ,  格子 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  蒸着膜 ,  化学反応 ,  焼なまし ,  *結晶化 ,  *電子回折 ,  *動径分布関数 ,  問題 ,  規則化 ,  *電子顕微鏡観察 ,  変化
準シソーラス用語： GST【テルル化物】 ,  RDF【関数】 ,  TEM【顕微鏡】 ,  アニール ,  グリッド ,  その場反応 ,  *テルル化ゲルマニウムアンチモン ,  構造変化 ,  最近傍問題

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： アニール ,  薄膜 ,  結晶化 ,  プロセス