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J-GLOBAL ID：201202250070444163   整理番号：12A1306443

InAlN/AlN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの劣化及び位相雑音:ホットエレクトロン/フォノン効果の意味

Degradation and phase noise of InAlN/AlN/GaN heterojunction field effect transistors: Implications for hot electron/phonon effects

著者 (10件)： ZHU C. Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  WU M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  KAYIS C. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  ZHANG F. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  LI X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  FERREYRA R. A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  MATULIONIS A. (Fluctuation Res. Lab., Semiconductor Physics Inst., Vilnius 01108 Lithuania) ,  AVRUTIN V. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  OEZGUER Ue. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA) ,  MORKOC H. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth Univ., Richmond, Virginia 23284, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 10  ページ： 103502-103502-4  発行年： 2012年09月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_15.7%Al_84.3%N/AlN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに,四つの異なるバイアス条件下において,電気的ストレスをかけ,ホットエレクトロン/フォノン及び熱効果を詳述した:オン状態低場ストレス,逆ゲートバイアスストレス,オフ状態高場ストレス,及びオン状態高場ストレス。DC電流及び位相雑音を,ストレス前後において測定した。電気特性に及ぼすその影響のみならず,損傷の可能な位置も同定した。逆ゲートバイアスストレスは,チャネルに間接的な影響を及ぼす,表面近くのゲート領域周辺にトラップ生成を引き起こした。オフ状態高場ストレス及びオン状態高場ストレスは,チャネルの劣化を引き起こし,ドレイン電流を低減し,位相雑音を増加させた。チャネル劣化を,ホットエレクトロン及びホットフォノン効果に帰着した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ヘテロ接合 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *ホットエレクトロン ,  フォノン ,  電流 ,  位相雑音 ,  損傷 ,  *劣化
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  *窒化インジウムアルミニウム ,  *電気ストレス ,  *ホットフォノン ,  熱効果 ,  トラップ【固体】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： InAlN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  位相雑音 ,  ホットエレクトロン ,  フォノン ,  意味