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J-GLOBAL ID：201202250304420999   整理番号：12A1466655

炭素ドープのGe₂Sb₂Te₅から成る相変化物質:高密度相変化メモリ素子への応用が期待される材料

Carbon-doped Ge₂Sb₂Te₅ phase change material: A candidate for high-density phase change memory application

著者 (10件)： ZHOU Xilin (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  WU Liangcai (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  SONG Zhitang (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  RAO Feng (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  ZHU Min (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  PENG Cheng (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  YAO Dongning (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  SONG Sannian (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  LIU Bo (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...) ,  FENG Songlin (State Key Lab. of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Lab., Shanghai Inst. of Micro-system and ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 14  ページ： 142104-142104-4  発行年： 2012年10月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度相変化メモリーへの応用を目指した,炭素ドープのGe₂Sb₂Te₅を提案する。Ge₂Sb₂Te₅の電気的および構造特性に対する炭素ドーピングの効果を,抵抗,x線回折,および光学分光法に基づくその場測定によって研究した。C原子のドーピングによって,非晶質相の乱れの度合いが増すために,非晶質Ge₂Sb₂Te₅の熱安定性が大幅に改善されることが分かった。相変化メモリー素子の可逆的電気スイッチング特性は,炭素の添加に伴う消費電力の観点から改善されることが分かった。2.1×10⁴サイクルの繰り返しに対する耐久性から,CドープのGe₂Sb₂Te₅薄膜は高密度記憶装置への応用に適した相変化物質として期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *テルル化物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  化合物半導体 ,  非晶質半導体 ,  光ディスク ,  *不揮発性メモリ ,  ドーピング ,  炭素 ,  シート抵抗 ,  X線回折 ,  温度依存性 ,  光学ギャップ ,  結晶 ,  相転移 ,  *材料 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  相変化光ディスク ,  *相変化物質

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素 ,  ドープ ,  相変化物質 ,  相変化 ,  メモリ素子 ,  応用 ,  期待