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J-GLOBAL ID：201202250320089658   整理番号：12A1145166

真空紫外線反射率測定による誘電体超薄膜の特性化に対する測定戦略

Measurement Strategy for Dielectric Ultra-Thin Film Characterization by Vacuum Ultra-Violet Reflectometry

著者 (5件)： GUMPRECHT T. (Fraunhofer-Inst. Integrated Systems and Device Technol. IISB, Erlangen, DEU) ,  GUMPRECHT T. (Erlangen Graduate School in Advanced Optical Technol. SAOT, Erlangen, DEU) ,  ROEDER G. (Fraunhofer-Inst. Integrated Systems and Device Technol. IISB, Erlangen, DEU) ,  SCHELLENBERGER M. (Fraunhofer-Inst. Integrated Systems and Device Technol. IISB, Erlangen, DEU) ,  PFITZNER L. (Fraunhofer-Inst. Integrated Systems and Device Technol. IISB, Erlangen, DEU)
資料名： IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop  (IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 23rd  ページ： 82-87  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0718A  ISSN： 1078-8743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複数の効果を分離し,測定精度を改善するため,真空紫外線反射率測定(VUVR)を用いてSiO₂やAl₂O₃のような誘電体超薄膜の厚みを測定する手法を検討した。実験にはMetrosol VUV7000自動反射率測定装置を用い,測定試料としてSi/S高精度でiO/SiO₂積層構造を用いた。実験結果は,VUV反射率測定法は高速であり,インライン薄膜厚み測定に適することを示した。表面汚染による不要な影響も有り得ることがわかった。

シソーラス用語： 真空紫外線 ,  *誘電体薄膜 ,  超薄膜 ,  *キャラクタリゼーション ,  測定精度 ,  二酸化ケイ素 ,  積層構造 ,  *光学的測定 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： 高精度 ,  相関分析 ,  測定法 ,  反射率測定

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 真空紫外線 ,  反射率測定 ,  誘電体 ,  超薄膜 ,  特性化 ,  戦略