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J-GLOBAL ID：201202250404726246   整理番号：12A0121673

原子層蒸着したAl₂O₃膜とAl₂O₃/a-SiN_x:H積層による有機発光ダイオードの陰極カプセル封じ

Cathode encapsulation of organic light emitting diodes by atomic layer deposited Al₂O₃ films and Al₂O₃/a-SiN_x:H stacks

著者 (5件)： KEUNING W. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  VAN DE WEIJER P. (Philips Res. Laboratories, High Tech Campus 4, P.O. Box WAG12, 5656 AE Eindhoven, NLD) ,  LIFKA H. (Philips Res. Laboratories, High Tech Campus 4, P.O. Box WAG12, 5656 AE Eindhoven, NLD) ,  KESSELS W. M. M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD) ,  CREATORE M. (Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 1  ページ： 01A131  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温(25°C)でプラズマ支援原子層蒸着(ALD)により作成したAl₂O₃薄膜を,有機発光ダイオードのための水蒸気透過障壁として使用できるか試験した。プラズマ支援化学気相成長により作成した窒化シリコン(SiN)膜を参照物質として,また,Al₂O₃/a-SiN_x:H積層の開発に用いた。カルシウム試験測定を用いて,20~40nm Al₂O₃と300nm a-SiN_x:H膜に対して,それぞれ,2×10^-6g・m^-2day^-1と4×10^-6g・m^-2day^-1(20°C/50%相対湿度)以下の非常に低い固有水蒸気透過率が得られた。a-SiN_x:H膜と比較して,Al₂O₃膜に対して4倍優れた陰極粒子被覆率が得られ,また,3障壁層からなる積層については,平均欠陥数は0.12/cm²であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *発光ダイオード ,  *カプセル封じ ,  障壁 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： *原子層蒸着 ,  *有機発光ダイオード ,  透過障壁 ,  プラズマ支援CVD

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層蒸着 ,  Al2O3 ,  有機発光ダイオード ,  陰極 ,  カプセル封じ