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J-GLOBAL ID：201202250436936927   整理番号：12A1288718

ポリアニリン修飾電極上での溶解p-ジメトキシベンゼンの反応

Reaction of Dissolved p-Dimethoxybenzene on a Polyaniline-Modified Electrode

著者 (2件)： YANO Jun (Univ. California, CA, USA) ,  YANO Jun (Niihama National Coll. of Technol., Ehime, JPN)
資料名： 電気化学および工業物理化学  (Electrochemistry)
巻： 80  号： 9  ページ： 629-631  発行年： 2012年09月05日 
JST資料番号： G0072A  ISSN： 1344-3542  CODEN： EECTFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリアニリン(PANI)は0.7V vs Ag/AgClより大きい電位領域では電気絶縁体として働く。電気不活性な電位領域でも,溶解p-ジメトキシベンゼンの酸化還元電流は,p-ジメトキシベンゼンがPANI膜を通して選択的に浸透し電極基板に到達するので,PANI膜修飾電極上では明白であった。溶解p-ジメトキシベンゼンの電解酸化のために,PANI修飾回転円盤電極(RDE)を用いるRDEボルタモグラムとPANIペレット電極を用いる定常状態電流-電位曲線の解析によりp-ジメトキシベンゼンは電解酸化時にPANI中で濃縮されることが明らかになった。更に,濃縮でPANIの電気伝導率が高められた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリアニリン ,  *高分子修飾電極 ,  溶解 ,  *フェノールエーテル ,  絶縁材料 ,  電流 ,  還元 ,  高分子膜 ,  選択性 ,  浸透 ,  円盤電極 ,  ボルタンメトリー ,  図表 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電流電圧特性 ,  *アノード酸化 ,  濃縮 ,  電気伝導率 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 酸化電流 ,  回転円盤電極 ,  ボルタモグラム ,  *電解酸化

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  芳香族単環フェノール類・多価フェノール  (CF05090V) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： p-ジメトキシベンゼン

引用文献 (7件)：

• 1) For a review, see: T. A. Skotheim, R. L. Elsenbaumer, and J. R. Reynolds, Handbook of Conducting Polymers, Marcel Dekker, New York, U.S.A. (1998).
• 2) E. W. Paul, A. J. Ricco, and M. S. Wrighton, J. Phys. Chem., 89, 1441 (1985).
• 3) N. Oyama, Y. Ohnuki, K. Chiba, and T. Osaka, Chem. Lett., 1759 (1983).
• 4) J. Yano, K. Ogura, A. Kitani, and K. Sasaki, Can. J. Chem., 70, 1009 (1992).
• 5) L. J. van der Pauw, Philips Res. Repts., 13, 1 (1958).

タイトルに関連する用語 (4件)： ポリアニリン ,  修飾電極 ,  溶解 ,  p-ジメトキシベンゼン