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J-GLOBAL ID：201202250483348260   整理番号：12A1763786

炭素を用いるGaAsナノワイヤのp型ドーピング

p-type doping of GaAs nanowires using carbon

著者 (5件)： SALEHZADEH O. (Dep. of Physics and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN) ,  ZHANG X. (Dep. of Chemistry and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN) ,  GATES B. D. (Dep. of Chemistry and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN) ,  KAVANAGH K. L. (Dep. of Physics and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN) ,  WATKINS S. P. (Dep. of Physics and 4D LABS, Simon Fraser Univ., Burnaby, British Columbia V5A 1S6, CAN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 9  ページ： 094323-094323-5  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOVPE法により成長したAu触媒CドープGaAsナノワイヤ(NW)の電気特性を調べた。輸送特性は,走査電子顕微鏡内でタングステンプローブを個別NWのAu触媒粒に接触して,測定した。ドーピングレベルはおよそ(4±1)×10¹⁶cm^-3から(1.0±0.3)×10¹⁹cm^-3まで変えることができた。それには,V族/III族前駆体比や気相炭素前駆体のモル流量を変える。ドーピングレベルが1×10¹⁹cm^-3へ増大すると,電流輸送機構は生成-再結合からトンネル電界放出へ変わる。CドープNWの見かけ抵抗率の直径依存性の解析に基づき,NWへのC導入はAu/NW界面の三重境界を通ることを提案した。CドープNWのp型伝導は負バイアス整流性により推測され,FETのバックゲート測定により確証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  MOCVD ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  *ドーピング ,  炭素 ,  *電流電圧特性 ,  電気抵抗率 ,  FET【トランジスタ】 ,  P型半導体 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 金触媒

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭素 ,  GaAs ,  ナノワイヤ ,  p型ドーピング