文献

J-GLOBAL ID：201202250522424149   整理番号：12A1727160

シリコンナノ細線の隠れた欠陥

Hidden defects in silicon nanowires

著者 (8件)： DEN HERTOG M I (UJF-Grenoble1, Grenoble, FRA) ,  CAYRON C (LITEN, CEA, Grenoble, FRA) ,  GENTILE P (UJF-Grenoble1, Grenoble, FRA) ,  DHALLUIN F (UJF-Grenoble1, Grenoble, FRA) ,  DHALLUIN F (LTM, CNRS, Grenoble, FRA) ,  OEHLER F (UJF-Grenoble1, Grenoble, FRA) ,  BARON T (LTM, CNRS, Grenoble, FRA) ,  ROUVIERE J L (UJF-Grenoble1, Grenoble, FRA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 2  ページ： 025701,1-10  発行年： 2012年01月20日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siナノ細線中には六方晶が存在するという報告があり,それらの報告の多くは’奇’回折パターンの存在とHRTEM像をその証拠のよりどころにしている。本論ではPまたはAlをドープし触媒としてNiまたはAuを用いて成長させたいろいろなSiナノ細線を調べ,奇回折パターンとTEM像の起源を分析した。次の2つのモデル,(i)六方晶の存在または(ii)多くのTEM像の中に直接観察できない”隠れた”欠陥と呼ぶべき欠陥の存在が実験結果を説明できた。多くの場合,一つの方向に沿った観測だけではこの2つのモデルの違いを区別することができず,いくつかの方向に沿った観察が必要であることを示した。次に,隠れた欠陥を同定する上で明視野の2ビーム像や暗視野像など,通常のTEM像が非常に有益であった。さらに,成長軸に対して垂直な方向のスライスが非常に役に立つ。調べたナノ細線では長距離秩序の6方晶は見られず,’奇’の像と回折像の大部分は異なる結晶粒の重ね合わせを引き起こすプラーナ欠陥によるものであった。最後に,多くの欠陥が存在するナノ細線ではバルクSiに比べてラマンシフトを起こすが,ラマン実験は6方晶の同定に対して使用できないことがわかった。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  化学蒸着 ,  *ドーピング ,  リン ,  アルミニウム ,  ニッケル触媒 ,  金化合物 ,  遷移金属触媒 ,  *欠陥 ,  光学顕微鏡法 ,  Ramanスペクトル ,  六方晶系 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： HRTEM ,  触媒CVD ,  金触媒 ,  暗視野顕微鏡 ,  プラーナ欠陥

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： シリコンナノ細線 ,  欠陥