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J-GLOBAL ID：201202250562002921   整理番号：12A1466402

バイアス温度不安定性によるSRAMアレイの利用ごとの劣化

Usage-based Degradation of SRAM Arrays due to Bias Temperature Instability

著者 (3件)： BANSAL Aditya (IBM Thomas J.Watson Res. Center, NY) ,  KIM Jae-Joon (IBM Thomas J.Watson Res. Center, NY) ,  RAO Rahul (IBM Thomas J.Watson Res. Center, NY)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 168-171  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PFETsの負バイアス温度不安定性(NBTI)とNFETsの正バイアス温度依存性(PBTI)による時間に対するSRAMアレイの作業負荷主導劣化を推定する手法を提案した。この手法では,1)SRAMアレイの作業負荷主導EOL劣化,2)種々の機能を遂行する複数のSRAMアレイを含むシステムのEOL劣化,3)EOL劣化を予測する応力角,4)交互応力,又は静的応力仮定の代わりの現実的V_min保護周波数帯を正確に予測できる。

シソーラス用語： *MOSFET ,  信頼性 ,  熱安定性 ,  不安定性 ,  温度依存性 ,  *SRAM ,  電圧 ,  *劣化 ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： バイアス温度不安定性 ,  正バイアス温度不安定性 ,  負バイアス温度不安定性

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： バイアス温度不安定性 ,  SRAMアレイ