文献

J-GLOBAL ID：201202250858560717   整理番号：12A1237510

マトリックス効果により補償したMCs⁺-SIMSによるSiGe合金の正確な組成分析

Exact compositional analysis of SiGe alloys by matrix effect compensated MCs⁺-SIMS

著者 (5件)： SAHA Biswajit (Saha Inst. of Nuclear Physics, Surface Physics Div., 1/AF Bidhannagar, 700064, Kolkata, IND) ,  CHAKRABORTY Purushottam (Saha Inst. of Nuclear Physics, Surface Physics Div., 1/AF Bidhannagar, 700064, Kolkata, IND) ,  GNASER Hubert (Technische Universitaet Kaiserslautern, Fachbereich Physik and Inst. fuer Oberflaechen- und Schichtanalytik, 67663 ...) ,  SHARMA Manjula (Saha Inst. of Nuclear Physics, Surface Physics Div., 1/AF Bidhannagar, 700064, Kolkata, IND) ,  SANYAL Milan K. (Saha Inst. of Nuclear Physics, Surface Physics Div., 1/AF Bidhannagar, 700064, Kolkata, IND)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 108  号： 3  ページ： 671-677  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe合金は高い電子及び正孔移動度のために高速マイクロエレクトロニクスデバイス技術における応用可能性を有している。このような技術の最適化には組成全域に亘るGe濃度の正確な決定及びGe-Si相互拡散現象の理解と制御が必要である。元素濃度の測定で最高の検出感度(約10億分の1以下)をもつ最適な分析技術は二次イオン質量分析(SIMS)である。しかし,二次イオン収率の強い組成依存性,すなわち「マトリックス効果」は常にSIMS定量を極めて困難にしてきた。MBE成長させたSi_1-xGe_x(0<x<0.72)合金中のGe濃度のMCs⁺-SIMS法に基づいた正確な定量のための方法を提案した。「マトリックス効果」は衝撃Cs⁺イオンエネルギーと関係なく全ゆるGe濃度に対して完全に抑制され得ることが分かった。新しい方法をSi/Ge多層構造の直接的な定量組成分析に適用できた。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *二次イオン質量分析 ,  *マトリックス効果 ,  定量分析 ,  相互拡散 ,  化学組成 ,  セシウム ,  イオンビームスパッタリング ,  感度 ,  能力 ,  *MBE成長 ,  多層構造
準シソーラス用語： 検出感度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  質量分析  (CC03013N)

タイトルに関連する用語 (5件)： マトリックス効果 ,  補償 ,  SIMS ,  SiGe合金 ,  組成分析