DEAN C. について
Dep. of Mechanical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
DEAN C. について
Dep. of Electrical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
YOUNG A.f. について
Dep. of Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
WANG L. について
Dep. of Mechanical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
MERIC I. について
Dep. of Electrical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
LEE G.-h. について
Dep. of Mechanical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
WATANABE K. について
Advanced Materials Lab., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN について
TANIGUCHI T. について
Advanced Materials Lab., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN について
SHEPARD K. について
Dep. of Electrical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
Dep. of Physics, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
HONE J. について
Dep. of Mechanical Engineering, Columbia Univ., New York, NY 10027, USA について
Solid State Communications について
炭素材 について
単原子層 について
Dirac方程式 について
有効ハミルトニアン について
低次元系 について
ヘテロ接合 について
窒化ホウ素 について
二酸化ケイ素 について
キャリア移動度 について
対称性の自発的破れ について
SU群 について
Landau準位 について
分数量子Hall効果 について
量子Hall効果 について
トンネル効果 について
絶縁破壊 について
電流電圧特性 について
電気抵抗 について
磁気抵抗効果 について
単層グラフェン について
二層グラフェン について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
グラフェン について
ヘテロ構造 について