CHEN Kun-Ming について
National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN について
MOU Zong-Wen について
National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN について
KUO Hao-Chung について
National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN について
CHIU Chia-Sung について
National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN について
CHEN Bo-Yuan について
National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN について
LIU Wen-De について
National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN について
CHEN Ming-Yi について
United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN について
YANG Yu-Chi について
United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN について
WANG Kai-Li について
United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN について
HUANG Guo-Wei について
National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN について
HUANG Guo-Wei について
National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN について
Japanese Journal of Applied Physics について
MOSFET について
ホットキャリア について
周波数特性 について
電流 について
オン抵抗 について
遮断周波数 について
周波数 について
静電容量 について
ストレス について
劣化 について
ゲート容量 について
ドレイン電流 について
ホットキャリアストレス について
高周波特性 について
最大発振周波数 について
発振周波数 について
飽和ドレイン電流 について
トランジスタ について
横方向 について
拡散 について
酸化物 について
トランジスタ について
高周波特性 について
調査 について