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J-GLOBAL ID：201202250937548412   整理番号：12A0495348

横方向拡散型金属-酸化物-半導体トランジスタの高周波特性のホットキャリアストレス効果の調査

Investigation of Hot-Carrier Stress Effect on High-Frequency Performance of Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistors

著者 (11件)： CHEN Kun-Ming (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  MOU Zong-Wen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUO Hao-Chung (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHIU Chia-Sung (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Bo-Yuan (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  LIU Wen-De (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Ming-Yi (United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN) ,  YANG Yu-Chi (United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN) ,  WANG Kai-Li (United Microelectronics Corp., Hsinchiu, TWN) ,  HUANG Guo-Wei (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  HUANG Guo-Wei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 2,Issue 2  ページ： 02BC012.1-02BC012.5  発行年： 2012年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横方向拡散型金属-酸化物-半導体(LDMOS)トランジスタの高周波特性へのホット・キャリアストレス効果を調査した。定バイアスチャンネルホット・キャリアストレスを室温で加えた。3時間のホットキャリアストレス後,オン抵抗,および飽和ドレイン電流の劣化は,それぞれ18と9%であった。しかしながら,デバイスが準飽和の開始の前にバイアスされた場合には,遮断周波数と最大発振周波数の劣化は2%未満であった。さらに,高周波パラメタの劣化は,トランスコンダクタンの変化ではなく,ゲート容量における変化に関連することがわかった。最後に,ホットキャリアストレス下におけるS-パラメータの変動もこの研究で調べた。RF電力増幅器の設計に,S-パラメータ変動の観測は重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ホットキャリア ,  *周波数特性 ,  電流 ,  オン抵抗 ,  遮断周波数 ,  周波数 ,  静電容量 ,  *ストレス ,  *劣化
準シソーラス用語： ゲート容量 ,  ドレイン電流 ,  *ホットキャリアストレス ,  *高周波特性 ,  最大発振周波数 ,  発振周波数 ,  飽和ドレイン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• 1) A. Wood, C. Dragon, and W. Burger: IEDM Tech. Dig., 1996, p. 87.
• 2) G. Ma, Q. Chen, O. Tornblad, T. Wei, C. Ahrens, and R. Gerlach: IEDM Tech. Dig., 2005, p. 361.
• 3) F. van Rijs: IEEE Radio and Wireless Symp., 2008, p. 69.
• 4) P. Moens, G. V. D. Bosch, C. D. Keukeleire, R. Degraeve, M. Tack, and G. Groeseneken: IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) 1704.
• 5) N. Hefyene, C. Anghel, R. Gillon, and A. M. Ionescu: Proc. Int. Reliability Physics Symp. (IRPS), 2005, p. 551.

タイトルに関連する用語 (6件)： 横方向 ,  拡散 ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  高周波特性 ,  調査