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J-GLOBAL ID：201202250981897440   整理番号：12A1074187

ゲート酸化膜厚非対象に適応した完全空乏化共通二重ゲートMOSFETに対するコンパクトモデルにおけるボディドーピングの包含

Inclusion of body doping in compact models for fully-depleted common double gate MOSFET adapted to gate-oxide thickness asymmetry

著者 (2件)： JANDHYALA S. (Indian Inst. Sci. Bangalore, Bangalore, IND) ,  MAHAPATRA S. (Indian Inst. Sci. Bangalore, Bangalore, IND)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 13  ページ： 794-795  発行年： 2012年06月21日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重ゲートMOSFETのボディは,移動度を改善し,ランダムドーピング変動効果を低減するために,一般に,ドーピングされない(または,軽くドーピングされた)ように保たれる。本レターでは,ゲート酸化膜厚の間の差を考慮することにより,表面ポテンシャルシャルベース共通二重ゲートMOSFETコンパクトモデルにおけるボディドーピング期間を包含するための単純な方法を提案した。提案した方法をTCADシミュレーションに対して実証し,完全空乏化チャネルに対して正確であることが分かった。

シソーラス用語： ドーピング ,  固体素子モデル ,  *ゲート【半導体】 ,  *空乏層 ,  *酸化膜 ,  *MOSFET ,  *シミュレーションモデル ,  電流電圧特性 ,  膜厚 ,  CAD【計算機】 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： ボディドーピング ,  コンパクトモデル ,  二重ゲート ,  完全空乏化 ,  ゲート酸化膜 ,  TCAD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート酸化膜 ,  厚 ,  適応 ,  二重ゲート ,  MOSFET ,  コンパクトモデル ,  ボディ ,  ドーピング