文献

J-GLOBAL ID：201202251005675553   整理番号：12A0666926

GaN系デバイスの機械的転写のための剥離層となる層状窒化ホウ素

Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices

著者 (4件)： KOBAYASHI Yasuyuki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  KUMAKURA Kazuhide (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  AKASAKA Tetsuya (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMOTO Toshiki (Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 484  号： 7393  ページ： 223-227  発行年： 2012年04月12日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化物半導体は,さまざまなデバイス応用,特にオプトエレクトロニクス,高周波/高出力エレクトロニクスなどに最適な材料である。こうしたデバイスを手頃な価格のフレキシブル大型基板上に実現することは実用上の重要な目標の1つだが,十分な品質の窒化物半導体をそのような基板上で直接成長させることは難しい。窒化物デバイスを,ある基板から別の基板へ転写できるようにするために,レーザーリフトオフなどのいくつかの技術が研究されてきたが,既存の方法には依然として重大な短所がある。今回我々は,六方晶窒化ホウ素(h-BN)が,窒化ガリウム(GaN)系デバイス構造の別の基板への機械的転写を可能にする剥離層となりうることを実証した。このh-BN層は2つの目的を果たす。すなわち,高品質GaN系半導体を成長させるバッファー層としての役割を果たすのに加えて,作製したデバイスを剥がしやすくするせん断面を形成する。我々は,h-BNをバッファー層とするサファイア基板を用いて,電子移動度1,100cm²V^-1s^-1のAlGaN/GaNヘテロ構造,InGaN/GaN多重量子井戸構造,および多重量子井戸発光ダイオードを成長させることによって,この方法が汎用性を持つ可能性を明らかにした。さらに,これらのデバイス構造(面積は5ミリメートルの正方形から2センチメートルの正方形)をサファイア基板から機械的に剥離し,ほかの基板に転写することに成功している。Copyright Nature Publishing Group 2012

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *窒化ホウ素 ,  ラメラ ,  *転写 ,  層 ,  剥離 ,  バッファ層 ,  面 ,  基板 ,  サファイア ,  *多重量子井戸 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  インジウム化合物 ,  剪断面 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  窒化インジウムガリウム ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： 剥離層 ,  窒化ガリウムアルミニウム ,  窒化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  転写 ,  剥離層 ,  層状 ,  窒化ホウ素