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J-GLOBAL ID：201202251216120221   整理番号：12A1212320

秩序化円錐形ディープピラーナノ構造を有する垂直GaN系発光ダイオードからの光取出し増加

Increased Light Extraction From Vertical GaN Light-Emitting Diodes With Ordered, Cone-Shaped Deep-Pillar Nanostructures

著者 (5件)： AN Ho-Myoung (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SIM Jae In (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SHIN Ki Seob (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  SUNG Yun Mo (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Tae Geun (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48  号： 7-8  ページ： 891-896  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,垂直発光ダイオード(VELD)からの光取出し効率を最大化するために,ナノ粒子リソグラフィーと誘導結合プラズマ-反応イオンエッチング(ICP-RIE)を使用した,秩序化円錐形ディープナノピラー構造のGaN系VELDを提案した。本VLEDの製造方法において著者等は,直径500nmのポリスチレン(PS)ナノ球体の二重層をn型GaN層上にスピンコート法により塗布し,酸素プラズマによるPSビーズの灰化処理後直ちに,Ni金属を蒸着し,リフトオフ加工する手法を採用した。ここでは,パターン形成無しの標準VELDと,深さ1.0μmおよび1.5μmの秩序化円錐形ピラーパラーンを形成した二つのVELDを作製した。これら三つのVELDの電流-順電圧特性および漏れ電流-逆電圧の測定結果は,提案構造のVLEDの350nmでの光取出し効率が,標準VELDの200%以上であることを示した。

シソーラス用語： *円錐 ,  *ナノ構造 ,  垂直 ,  発光ダイオード ,  誘導結合プラズマ ,  RIE【エッチング】 ,  窒化ガリウム ,  リソグラフィー ,  効率
準シソーラス用語： ナノ粒子リソグラフィー ,  *光取出し効率 ,  *垂直発光ダイオード

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 秩序化 ,  円錐形 ,  垂直 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  取出し