抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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真空エレクトロニクス(VE)は,19世紀の終わりから20世紀の終わりまで,その応用領域における発展及び工業的成長を支配した。VEは,物理学の基本概念に寄与し,重要な基本的インベンションを可能にした。この輝かしい過去にもかかわらず,一方で,新しい特徴に対する要求により促され,そして新しい応用をもたらす,固体エレクトロニクス(SSE)のような新しい技術による完全なあるいは部分的な交替が,いくつかの応用領域で起こった。基本的なインベンションから現代の最先端までのエレクトロニクスの歴史的発展の概観に基づいた本論文の目的は,この分野の将来の傾向及び展望を確認することである。無線受信管及び陰極線ディスプレイ管におけるような,一般的な技術サイクルの出現を議論した。マイクロ波管は,固体素子による部分的交替のみを受け,高電力高周波数領域を守った。この領域におけるその優越性の理由を議論した。更なる改善を可能にするVEに関するベース技術,すなわち,真空技術及び電子源技術,の開発を概説した。マイクロ波管の高電力,高周波領域の上に,前向きの将来展望をもつVE技術応用を議論した。例えば,宇宙空間応用(長寿命マイクロ波管,イオンスラスタ);熱イオン変換器;eビームリソグラフィー;X線管;真空ベース高分解能キャラクタリゼーション,及び自由電子レーザあるいは粒子加速器のための高輝度ビーム。固体エレクトロニクスの性能における連続的な成長及び向上を簡単に概観した。SSEは,1980年代における総売上に関して首位を占めた。今や,本来の長所にもかかわらず,固体エレクトロニクスも,技術的限界に近づこうとしている。これらは,更なるスケールダウンによる長期信頼性の低下と共に,エネルギー消費の増大も含んでいる。集積回路の特徴サイズが22nm以下にスケールダウンするとき,真空ナノエレクトロニクスが,これらの限界を乗り越えるのに役立つことが想像される。(翻訳著者抄録)