文献

J-GLOBAL ID：201202251436385510   整理番号：12A1766487

単一(6,5)カイラリティ単層カーボンナノチューブ厚膜でのイオンゲルトランジスタ

Ion-Gel Transistors on Thick Films in a Single Chiral State of (6,5) Single-Wall Carbon Nanotubes

著者 (6件)： KUDO Hikaru (Tokyo Metropolitan Univ.) ,  NOBUSA Yuki (Waseda Univ.) ,  KATAURA Hiromichi (AIST) ,  KATAURA Hiromichi (JST-CREST) ,  TAKENOBU Taishi (Waseda Univ.) ,  YANAGI Kazuhiro (Tokyo Metropolitan Univ.)
資料名： フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 43rd  ページ： 120  発行年： 2012年09月05日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *カイラル対称性 ,  *厚膜 ,  *トランジスタ ,  *ゲル ,  *イオン ,  電子構造 ,  酸化膜 ,  ゲート【半導体】 ,  状態密度 ,  超遠心 ,  ゲル浸透クロマトグラフィー ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *イオンゲル ,  ゲート誘電体

分類 (3件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (3件)： カイラリティ ,  単層カーボンナノチューブ ,  厚膜