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J-GLOBAL ID：201202251531199502   整理番号：12A1053101

分子線エピタクシープロセスにおけるSi(001)表面の低温クリーニングへの水素化の応用:走査トンネル顕微鏡,反射高エネルギー電子回折,高分解能透過電子顕微法による研究

Application of hydrogenation to low-temperature cleaning of the Si(001) surface in the processes of molecular-beam epitaxy: Investigation by scanning tunneling microscopy, reflected high-energy electron diffraction, and high resolution transmission electron microscopy

著者 (6件)： ARAPKINA L. V. (A. M. Prokhorov General Physics Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 38 Vavilov Street, Moscow 119991, RUS) ,  KRYLOVA L. A. (A. M. Prokhorov General Physics Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 38 Vavilov Street, Moscow 119991, RUS) ,  CHIZH K. V. (A. M. Prokhorov General Physics Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 38 Vavilov Street, Moscow 119991, RUS) ,  CHAPNIN V. A. (A. M. Prokhorov General Physics Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 38 Vavilov Street, Moscow 119991, RUS) ,  UVAROV O. V. (A. M. Prokhorov General Physics Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 38 Vavilov Street, Moscow 119991, RUS) ,  YURYEV V. A. (A. M. Prokhorov General Physics Inst. of the Russian Acad. of Sciences, 38 Vavilov Street, Moscow 119991, RUS)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 014311-014311-7  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーチェンバ内のシリコンウエハの低温(470~650°C)成長前熱処理の結果得られた清浄なSi(001)の構造特性を調べた。クリーニング温度を下げるために,HFとNH₄Fの水溶液内での事前化学処理過程においてシリコン表面を水素化した。600°C以上の温度での水素化によって,単分子ステップによって隔てられた幅広のテラスからなる滑らかな表面が得られるが,600°C以下の温度で得られた清浄表面は粗くなることが分かった。清浄表面の構造特性が,水素の熱脱着温度と事前化学処理過程に依存することが分かった。シリコン二量体のステップからの(への)脱着(吸着)頻度,および,吸着二量体のステップを越えた移動におよぼすEhrlich-Schwoebel障壁の影響が,得られた表面粗さの程度を決める最も重要な因子であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MBE成長 ,  水素化 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  RHEED ,  高分解能電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ケイ素 ,  *表面処理 ,  *浄化 ,  表面ステップ ,  表面テラス
準シソーラス用語： 分子線エピタクシー ,  走査トンネル顕微鏡 ,  反射高エネルギー電子回折 ,  高分解能透過電子顕微鏡 ,  *シリコン ,  *清浄化

分類 (1件)： 試料技術  (BA02070O)

タイトルに関連する用語 (13件)： 分子線エピタクシー ,  プロセス ,  Si ,  低温 ,  クリーニング ,  水素化 ,  応用 ,  走査トンネル顕微鏡 ,  反射高エネルギー電子回折 ,  高分解能 ,  透過 ,  電子顕微法 ,  研究