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J-GLOBAL ID：201202251578773606   整理番号：12A0722504

その場原子層堆積によるIn_0.53Ga_0.47As上の高品質HfO₂の実現

Realization of high-quality HfO₂ on In_0.53Ga_0.47As by in-situ atomic-layer-deposition

著者 (7件)： LIN T. D. (Graduate Inst. of Applied Physics and Dep. of Physics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  CHANG Y. H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  LIN C. A. (Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  HUANG M. L. (Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  LEE W. C. (Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  KWO J. (Dep. of Physics, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 30013, Taiwan) ,  HONG M. (Graduate Inst. of Applied Physics and Dep. of Physics, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 17  ページ： 172110-172110-4  発行年： 2012年04月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイ-k誘電体のHfAlO/HfO₂を,分子ビームエピタクシーによって成長させたIn_0.53Ga_0.47As表面上に,前処理あるいは界面不動態化処理を行うことなしに,その場原子層堆積によって直接堆積させた。この場合,高い再結晶温度を持つHfAlO(HfO₂:Al₂O₃≒4:1)を表面酸化層として採用した。金属酸化物と半導体から成るコンデンサ,HfAlO(4.5nm)/HfO₂(0.8nm)/In_0.53Ga_0.47As,はヒ素に関係する欠陥接合を含まない酸化物/In_0.53Ga_0.47Asの界面を有し,800°Cにおける熱力学的安定性に優れ,±1MV/cmの電場下における漏れ電流密度は10^-7A/cm²以下と非常に低いことが分かった。In_0.53Ga_0.47Asにおける温度に依存する電気容量および伝導度から,ミドギャップピークを持たない界面トラップ密度,(D_it),スペクトルを求めることができた。ミドギャップより下のD_itは2~3×10¹²eV^-1cm^-2,そしてミドギャップより上のD_itは6~12×10¹¹eV^-1cm^-2であることが分かった。最初の厚さは同じく0.8nm程度のHfO₂を用い,HfAlOの厚さを2.7nmまで薄くすることによって,等価酸化膜厚を1nm以下にすることができた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *酸化ハフニウム ,  誘電体薄膜 ,  酸化物 ,  アルミニウム化合物 ,  ハフニウム化合物 ,  複合膜 ,  *酸化アルミニウム ,  コンデンサ ,  熱力学的安定度 ,  漏れ電流 ,  電気伝導率 ,  捕獲中心 ,  欠陥密度 ,  膜厚 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： high-k膜 ,  界面欠陥 ,  原子層堆積 ,  電気容量 ,  等価酸化膜厚

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子層堆積 ,  高品質 ,  HfO2